- DioSiC (acrónimo de Diodo & SiC: carburo de silicio) persigue crear un nuevo material, el carburo de silicio policristalino, para reducir un 30% los costes de los chips y aumentar un 35% su eficacia.
- El proyecto pertenece a la convocatoria Misiones PERTE Chip del CDTI y cuenta con un presupuesto de 3,3 millones de euros.
- DioSiC ha sido presentado en una jornada celebrada en la sede de Hiperbaric, en Burgos, que ha reunido a expertos del ámbito público y empresarial.
Crear un nuevo material único, 100% español, para la fabricación de semiconductores más baratos, eficientes y viables económicamente que reduzca la dependencia española de terceros países.
Este es el objetivo que ha llevado a las empresas españolas HIPERBARIC, líder mundial en tecnologías de altas presiones; Nanoker, fabricante y proveedor español de productos cerámicos nanocompuestos avanzados; y Fagor Electrónica, especializada en soluciones electrónicas y de digitalización a unir sus fuerzas y crear el consorcio DioSic (acrónimo de Diodo & SiC: carburo de silicio), dentro del PERTE de Microelectrónica y Semiconductores, conocido como PERTE Chip. El Gobierno español financia el 68% de los 3,3 millones de euros del proyecto de I+D, que forma parte de la convocatoria Misiones PERTE Chip, del Centro para el Desarrollo Tecnológico y la Innovación E.P.E. (CDTI).
Hasta la fecha, el silicio es el semiconductor más habitual, pero no sirve para todas las aplicaciones. Su sustituto es el carburo de silicio (SiC), con características únicas para el empleo en electrónica de alta potencia, lo que se necesita para las baterías de los coches eléctricos de recarga superrápida o las futuras máquinas de almacenamiento para las energías renovables. Con este proyecto, el consorcio español quiere dar un paso más allá con la fabricación de sustratos de SiC policristalinos de alta calidad, aún más rentables y eficientes al reducir un 30% los costes de los chips y aumentar un 35% su eficacia.
El proyecto busca superar las limitaciones actuales del uso del carburo de silicio con la fabricación de sustratos de silicio policristalino a partir de la técnica SPS —Spark Plasma Sintering propia de la empresa asturiana Nanoker- que será procesada mediante altas presiones isostáticas (del inglés Hot Isostatic Pressing), por la burgalesa Hiperbaric, líder mundial en tecnología de altas presiones. El tratamiento de carburo de silicio (SiC) mediante tecnología HIP mejora notablemente sus propiedades al eliminar cualquier posible defecto en obleas de SiC policristalinas. Una vez tratados, la vasca Fagor Electrónica será la encargada de la fabricación de los chips.
Reunión de expertos del ámbito público y empresarial
La presentación del proyecto DioSic ha tenido lugar en la sede de Hiperbaric en Burgos durante la jornada “DioSiC: ‘chipmaking’ español para la producción de microchips de Carburo de Silicio Policristalino”, que ha reunido a expertos del ámbito público y empresarial para explicar las características del proyecto y el papel que debe jugar España, que está llamada a liderar el mercado de los semiconductores en Europa.
Cristina Ayala, alcaldesa de Burgos, remarcó la relevancia de la I+D en las empresas industriales, capaces de generar valor en los territorios en los que operan. Por su parte Augusto Cobos, director general del Instituto para la Competitividad Empresarial de Castilla y León (ICE), remarcó el canal de ayudas de la administración regional para financiar proyectos de investigación industrial y tecnológica.
Teresa Riesgo, secretaria general de Innovación del Ministerio de Ciencia e Innovación, aprovechó su intervención para hablar sobre las oportunidades para la innovación tecnológica en nuestro país y la necesidad de apostar por sectores estratégicos como es el caso de la microelectrónica.
Riesgo se refirió a la necesaria colaboración público-privada con la financiación de este tipo de proyectos que potencian las capacidades científicas y la base tecnológica de las empresas. “La innovación empresarial es clave para el desarrollo económico de un país. Desde el Gobierno de España tenemos muy clara la importancia de impulsarla, sin dejar a un lado el cuidado del medio ambiente, las energías limpias y la economía circular”, subrayó la secretaria general, para quien “el desarrollo del proyecto DioSiC está en línea con la hoja de ruta del Gobierno, que busca apoyar iniciativas dirigidas a impulsar la industria de los semiconductores española para que tenga un papel protagonista en Europa y todo el mundo”.
“La innovación empresarial es clave para el desarrollo económico de un país. Desde el Gobierno de España tenemos muy clara la importancia de impulsarla, sin dejar a un lado el cuidado del medio ambiente, las energías limpias y la economía circular. El desarrollo del proyecto DioSiC está en línea con la hoja de ruta del Gobierno, que busca apoyar iniciativas dirigidas a impulsar la industria de los semiconductores española para que tenga un papel protagonista en Europa y todo el mundo.”
Por su parte, Jaime Martorell, comisionado especial para el PERTE de microelectrónica y semiconductores, centró su charla en destacar el impulso que el PERTE Chip está dando al ecosistema de semiconductores en España para avanzar en la dependencia de terceros países y minimizar los riesgos que ello conlleva.
Cada año se fabrican en el mundo 1 billón de microchips, y solo un 10% son de origen europeo. El objetivo de la Ley Europea de Chips es alcanzar un 20% de cuota de mercado en 2030. “El proyecto DioSiC, con un presupuesto asignado de 3,3 millones de euros, forma parte del proyecto Estratégico para la Recuperación y Transformación Económica (PERTE) de Microelectrónica y Semiconductores, PERTE Chip aprobado en 2022 y dotado de una inversión pública de 12.250 millones hasta 2027”, explicó Martorell, no sin antes recordar que el dinero está destinado a crear fábricas de microchip e impulsar toda la cadena de valor, desde las pymes y startups tecnológicas a la industria de la electrónica que consume esos semiconductores.
“El proyecto DioSiC, con un presupuesto asignado de 3,3 millones de euros, forma parte del proyecto Estratégico para la Recuperación y Transformación Económica (PERTE) de Microelectrónica y Semiconductores, PERTE Chip aprobado en 2022 y dotado de una inversión pública de 12.250 millones hasta 2027”.
Para Martorell es una realidad que la fabricación de semiconductores migró a Asia y urge cambiar esta situación, buscando un equilibrio “que minimice el riesgo que ello supone para Estados Unidos, Europa y España”, sentenció Martorell.
Tras las palabras del comisionado especial para el PERTE Chip fue el turno para Pulickel Ajayan, profesor de la Universidad Rice de Houston, quien habló sobre las investigaciones que se vienen realizando sobre nuevas tecnologías de nanomateriales y cerámicas para semiconductores.
En esta línea los tres directivos de las empresas que integran el consorcio aprovecharon su intervención para profundizar sobre las aportaciones de cada compañía y lo que supone para sus empresas participar en este proyecto. Ramón Torrecillas, CEO de Nanoker y director general de la Fundación General CSIC, se refirió al proyecto DioSiC como ‘disruptivo y único’. “El desarrollo de chips es fundamental para para la economía digital moderna, y la buena noticia para todos es que con este proyecto vamos a investigar en el desarrollo de un material completamente nuevo, porque solo siendo innovadores conseguiremos traer la producción a España y aparcar la dependencia actual”, asegura Torrecilla.
“El desarrollo de chips es fundamental para para la economía digital moderna, y la buena noticia para todos es que con este proyecto vamos a investigar en el desarrollo de un material completamente nuevo, porque solo siendo innovadores conseguiremos traer la producción a España y aparcar la dependencia actual”.
Por su parte, Andrés Hernando, CEO de Hiperbaric, destacó el papel relevante de la tecnología HIP para alcanzar la calidad necesaria para la próxima generación de chips de altas prestaciones de Fagor Electrónica, y recordó que el DioSic es un paso más para hacer frente al monopolio actual de producción de chips en Asia, en concreto en China, Japón, Corea del Sur y Taiwan. “Nuestra tecnología permitirá someter a alta presión isostática los sustratos de carburo de silicio (SiC) policristalinos hasta alcanzar los 2.000 bares de presión y 2.000ºC de temperatura, lo que permitirá obtener chips de Sic robustos y sin defectos”. Hiperbaric dispone en las instalaciones de su sede en Burgos del primer Centro de Innovación HIP que existe en el sur de Europa, en el que varios investigadores testean nuevos desarrollos de materiales mediante el HIP.
“Nuestra tecnología permitirá someter a alta presión isostática los sustratos de carburo de silicio (SiC) policristalinos hasta alcanzar los 2.000 bares de presión y 2.000ºC de temperatura, lo que permitirá obtener chips de Sic robustos y sin defectos”
Además de mejorar las propiedades mecánicas, el HIP aumenta la resistencia frente a la corrosión y da lugar a piezas con microestructura de grano fino con buenas propiedades mecánicas. Esta tecnología elimina la porosidad y otros defectos internos, da mayor consistencia a materiales de alto rendimiento, permite recuperar piezas defectuosas y hace posibles diseños más ligeros y de menor peso.
Mikel Pérez, director de I+D y Transformación Digital de Fagor Electrónica, fue el encargado de cerrar la jornada. El directivo habló de las perspectivas industriales tras el proyecto y el futuro que esperan tener tras el desarrollo de estos componentes electrónicos de alta potencia más eficientes y económicos. “Este proyecto es el primer paso para poner en marcha una planta de carburos de silicio en España; ese es nuestro objetivo y en eso estamos trabajando”, concluyó Mikel Pérez.
“Este proyecto es el primer paso para poner en marcha una planta de carburos de silicio en España; ese es nuestro objetivo y en eso estamos trabajando”.
Sobre DioSiC
DioSiC es un consorcio formado por 3 empresas (Nanoker, Hiperbaric y Fagor Electrónica); y está apoyado por 3 centros del CSIC (Centro Nacional de Microelectrónica (CNM), Centro de Física de materiales (CFM), y Centro de nanomateriales y nanotecnología (CINN)) y un centro tecnológico (CEIT). Así mismo, se cuenta con el instituto Alemán Fraunhoffer con dos centros de Investigación (Institute for Integrated Systems and Device Technology -IISB; y Center for Silicon Photovoltaics-CSP).
