PROYECTO
El proyecto DioSiC ha sido aprobado en el marco de la convocatoria Misiones PERTE Chip, del Centro para el Desarrollo Tecnológico y la Innovación E.P.E. (CDTI), dependiente del Ministerio de Ciencia, Innovación y Universidades, dentro de su Misión 1: “Fortalecimiento de I+D+I en diseño microelectrónico de vanguardia y arquitecturas alternativas”.
DioSiC tiene como objetivo superar las limitaciones actuales del uso del carburo de silicio (SiC) en la fabricación de sustratos de silicio policristalino. Para ello se propone emplear la técnica SPS (Spark Plasma Sintering) con un tratamiento posterior mediante tecnología HIP, mejorando así notablemente sus propiedades al eliminarse cualquier posible defecto en las obleas de SiC policristalinas. El nuevo material investigado en el proyecto permitirá reducir un 30% los costes de los chips y aumentar un 35% su eficacia para hacer viable económicamente su producción. El éxito del proyecto garantizará que España sea capaz de producir estos novedosos chips con plazos y costes razonables, cubriendo la demanda de un mercado creciente y evitando la dependencia tecnológica de terceros países.
DioSiC será llevado a cabo por un consorcio formado por 3 empresas (Nanoker, Hiperbaric y Fagor Electrónica) y cuenta con la colaboración de 3 centros del CSIC (Centro Nacional de Microelectrónica (CNM), Centro de Física de materiales (CFM), y Centro de nanomateriales y nanotecnología (CINN)) y un centro tecnológico (CEIT). Así mismo, cuenta con el instituto alemán Fraunhofer, que participa a través de dos centros de Investigación (Institute for Integrated Systems and Device Technology -IISB; y Center for Silicon Photovoltaics-CSP), y con 2 empresas tecnológicas relacionadas con el sector (Clas-sic y NovaSiC).
Este proyecto cuenta con un presupuesto total de más de 3,3 millones de euros, y le ha sido concedida una subvención de 2,2 millones de euros (el 66,7%) provenientes de los fondos Europeos “Next Generation EU”, en concreto del Mecanismo de Recuperación y Resiliencia.
Proyecto subvencionado por el CDTI y apoyado por el Ministerio de Ciencia, Innovación y Universidades
DURACIÓN
26 MESES
PRESUPUESTO
3.506.485,00€
SUBVENCIÓN
2.258.871,45€
SOCIOS
3
COLABORACIONES
7
Mucho más que un logo...
Te invitamos a seguir en directo la conferencia en la que los principales protagonistas presentarán este proyecto de I+D+i que investiga de forma pionera el desarrollo de chips semiconductores a base de substratos de carburo de silicio.
SOCIOS
COLABORADORES
El proyecto de I+D contará con el apoyo de siete entidades subcontratadas, entre centros de investigación y empresas tecnológicas referentes a nivel nacional e internacional. Estos organismos son:
NOTICIAS
Hiperbaric, Nanoker y Fagor desarrollarán de forma pionera chips semiconductores mediante altas presiones isostáticas dentro del PERTE Chip
España, financiando el proyecto DioSiC (acrónimo de Diodo & SiC: carburo de silicio), persigue así liderar su independencia tecnológica con un nuevo material único, el
